封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：30V

Id-连续漏极电流：30A

Rds On-漏源导通电阻：7.8mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：1.2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：41.8nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：100W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

正向跨导 - 最小值：23.8S

下降时间：17ns

上升时间：13ns

典型关闭延迟时间：27ns

典型接通延迟时间：6.1ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：10.0mΩ

IDpuls max：120.0A

VDS max：30.0V

ID max：30.0 A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.5K/W

QG：31.4nC

Budgetary Price €€/1k：0.33

RDS (on) (@4.5V) max：14.6mΩ

Ptot max：100.0W

Polarity：N

VGS(th) min max：1.2 V 2.0 V

Coss：450.0pF

Ciss：1160.0 pF

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs